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高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目(嘉兴斯达微电子有限公司)
高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目(嘉兴斯达微电子有限公司)
大型
项目地址:
定位
项目概况
更新时间:
2021-12-30(发布:2022-03-28)
项目阶段:
2021-12-30处于
主体施工开工
建设周期:
2022年1季度 - 2024年1季度
项目类型:
工业
面积:
投资金额:
191700万
建设性质:
新建
甲方类型:
外资、合资企业
项目描述
此项目总用地面积为----,建筑面积----,包括: 厂房 拟购置包括光刻机、涂胶显影机等工艺设备92台(套)电子显微镜、膜厚测量仪等研发检测设备16台(套)以及冷冻机、冷却塔等公用工程设备17台(套)总计设备125台(套)项目达产后,预计将形成年产30万片6英寸高压特色工艺功率芯片生产能力
项目工期及阶段
工程备注:
工程开始日期(主体开工): 2022年第1季度. 工程结束日期(交付使用):2024年第1季度.截止(2021-12-29)该项目施工单位正在主体施工,主体工程量完成20%
项目动态
0
暂无项目动态,正在努力调研
甲方单位联系人
2
位联系人
业主
单位:
嘉兴斯达微电子有限公司
部门:
项目部
职位:
项目负责人
备注:
参与施工管理
该业主单位的其他项目>>
业主
单位:
嘉兴斯达半导体股份有限公司
部门:
办公室
备注:
参与前期政府资料报批
该业主单位的其他项目>>
设计院联系人
1
位联系人
施工图设计
单位:
世源科技工程有限公司上海分公司
部门:
设计部
职位:
建筑设计师
备注:
项目负责人
该业主单位的其他项目>>
承建方联系人
0
位联系人
暂无承建方联系人信息
分包方联系人
0
位联系人
暂无分包方联系人信息
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