凌越光电化合物激光芯片生产基地新建项目(重庆凌越光电科技有限公司)
大型

项目地址：

定位

项目概况

更新时间： 2022-06-22（发布：2022-01-17）

项目阶段： 2022-06-22处于设计

建设周期： 2022年3季度 - 2024年2季度

项目类型：工业

面积：

投资金额： 57000万

建设性质：新建

甲方类型：外资、合资企业

项目描述

此项目为建筑面积为----,新建厂房此项目公司总部位于重庆两江新区,正在兴建3万㎡从外延生长、晶圆工艺至器件封测全流程设计制造能力的先进光芯片基地,预计2023年下半年投入使用.并与芬兰拥有超过20年成熟芯片量产经验的modulight公司紧密合作,2,凌越光电具备从0.6到1.7μm的全波段各类激光芯片开发能力,产品包括高速1310nmeml和dfb激光芯片,大功率632nm、905nm、1550nm直流和脉冲激光芯片等,性能已达国际领先水平

项目工期及阶段

工程备注：工程预计开始日期(主体开工): 2022年第3季度. 工程预计结束日期(交付使用):2024年第2季度. 截止(2022-06-22)该项目预计9月开工,现施工图设计未开始